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InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器LD-GAP500 三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測(cè)器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長(zhǎng)條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。

InGaAs點(diǎn)元探測(cè)器三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過(guò)改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測(cè)器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長(zhǎng)條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。