更新時間：2025-04-24
短波線陣芯片該銦鎵砷線陣探測器產(chǎn)品的截止波長有1.45um、1.7um、2.2um和2.6um可選，所有產(chǎn)品都有非常低的暗電流和*性。該產(chǎn)品可以在LDB/LE（ITR）或LC（IWR）模式中選擇任意一種版本，LC版本用于快速掃描，并可選擇四種增益模式。其中一種增益模式可提供大的滿阱容量以使用于吸收光譜學方面的應用。
短波線陣芯片產(chǎn)品特點
①可選擇波長范圍：減少暗電流（1.45um）、標準（1.7um）、擴展型（2.2um）、全波段（2.6um-只有LC可選）；
②線陣長度可選256、512或1024元，寬度對應1/4、1/2和1英寸（6.4、12.8、25.6mm）；
③大的滿阱容量、130或250Me-；
④像元寬度25或50um；
⑤像元高度250或500um用于光譜學，像元正方形用于機器視覺；
⑥密封的Kovar封裝；
⑦內(nèi)部集成1、2、3級溫度控制；采用低功耗熱電制冷器用于降低材料溫度。
短波線陣芯片參數(shù)選型表
| 銦鎵砷線陣選型表 | ||||
| 材料類型 | 暗電流 | 前截止波長（um）50% QE | 后截止波長（um）50% QE | 中心波長（um） |
| 1.45um | 1.3pA | 0.91 | 1.415 | 1.17 |
| 1.7um | 2.3pA | 0.91 | 1.650 | 1.36 |
| 2.2um | 10nA | 1.30 | 2.155 | 1.67 |
| 2.6um | 100nA | 1.64 | 2.410 | 1.84 |
封裝選項
1）LC/LSC ROIC
特點：抗結霜、快照、IWR和ITR模式可選、多路輸出、低速到快速讀出、四種增益模式/滿阱設置、可選帶寬；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸 出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 256 | 50μm | 15.7K | / | / | T2 250μm | T2 250μm |
| 512 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm T2、250μm T2、500μm LT、500μm | / | T2 250um
|
| 1024 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm LT、500μm | T2 250μm | / |
2）LE/LSC ROIC
特點：抗結霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿阱設置；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 512 | 50μm | 1.25k | / | LT、500um RT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
| 1024 | 25μm | 1.25k | T2 500μm | T1、500um LT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
3）LDB/LSB ROIC
特點：抗結霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿阱設置；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 256 | 50μm | 5K | / | T1、500μm LT、500μm RT、500μm T2、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm T3、250μm | N/A |
| 256 | 25μm | 5k | / | T1、500μm RT、500μm | / | / |
| 512 | 25μm | 5k | T2、500μm RT、500μm | T1、500um LT、500μm T2、500μm RT、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm | N/A |
備注：①“/”為非標準產(chǎn)品，可定制；
②“N/A”為不可定制；
③ ITR：邊積分邊讀出；IWR：先積分后讀出。
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