短波焦平面探測(cè)器由探測(cè)器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術(shù)涵蓋光電子與微電子技術(shù)范疇，器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，技術(shù)難度大，對(duì)設(shè)計(jì)、工藝、產(chǎn)品化等技術(shù)均有較高要求。

　　紅外成像技術(shù)的核心部分當(dāng)屬紅外探測(cè)器技術(shù)，包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術(shù)，涉及紅外探測(cè)器基礎(chǔ)理論、總體設(shè)計(jì)、薄膜材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料性能表征與評(píng)價(jià)技術(shù)。

　　在短波紅外成像光譜技術(shù)的應(yīng)用背景下，對(duì)短波焦平面探測(cè)器的校正技術(shù)進(jìn)行研究，包括壞像元校正和非均勻性校正，并提出先進(jìn)行壞像元校正后進(jìn)行非均勻性校正的探測(cè)器校正原則；在標(biāo)準(zhǔn)輻射源下，對(duì)正常像元的輸出值進(jìn)行正態(tài)分布擬合，并通過(guò)3σ準(zhǔn)則設(shè)定正常像元輸出值閾值的方法，確定探測(cè)器中壞像元的數(shù)量與位置，然后根據(jù)短波紅外成像光譜技術(shù)的應(yīng)用要求，對(duì)壞像元進(jìn)行光譜二鄰域均值替換；壞像元校正完成后，再采用運(yùn)算量小、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的兩點(diǎn)法對(duì)探測(cè)器進(jìn)行非均勻性校正。綜合校正結(jié)果表明：探測(cè)器壞像元得到有效剔除，壞像元輸出值得到良好校正，且非均勻性校正效果明顯，圖像細(xì)節(jié)更加豐富。